时间：2025/9/1 12:33:37
阅读：8
H27U8G8F2BTR-BI 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的NAND闪存芯片。该芯片属于8Gbit（1GB）容量的NAND闪存，采用小型TSOP封装，适用于对存储密度和功耗有较高要求的便携式设备。该型号的工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适合在较为严苛的环境中使用。
容量：8Gbit
工艺制程：未知（估计为38nm或更先进）
封装类型：TSOP
引脚数：52-pin
工作电压：2.7V - 3.6V
接口类型：ONFI 1.0兼容
读取速度：最大50MB/s
写入速度：最大20MB/s
工作温度：-40°C至+85°C
H27U8G8F2BTR-BI 是一颗高性能、低功耗的NAND闪存芯片，适用于需要非易失性存储器的多种应用场景。该芯片采用了ONFI 1.0接口标准，具有较高的数据传输速率和稳定性。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，同时保证了良好的电气性能。此外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可提高数据存储的可靠性。
这款NAND闪存芯片的容量为8Gbit，分为多个逻辑块，支持页编程和块擦除操作。其擦写寿命约为10万次，适用于中等写入强度的应用场景。内置的坏块管理机制能够自动标记和跳过损坏的存储单元，确保数据完整性。
在功耗方面，H27U8G8F2BTR-BI 支持低功耗待机模式，在设备不工作时可显著降低能耗。其快速的读写能力使其适用于固态存储、嵌入式系统、手持设备、数据采集设备等场景。同时，该芯片具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
H27U8G8F2BTR-BI 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、手持终端、车载导航设备、数据记录仪、医疗设备以及消费类电子产品中的固态存储模块。其高可靠性和宽温工作特性使其特别适合在工业和车载环境中使用。
H27U8G8F2BTR-BC、H27U1G8F2BTR-BI、H27U1G8F2CTR-BI
