存储类型：NAND闪存
　　容量：8Gb（1 Gigabit）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　接口：ONFI（Open NAND Flash Interface）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约为2ms
　　块数量：2048块
　　页面大小：2KB（数据区）+ 64字节（备用区）
　　冗余区大小：64字节/页
　　错误校正码（ECC）：支持1位ECC/512字节
　　缓存编程支持：支持快速编程操作
　　耐用性：支持10万次编程/擦除周期

H27U8G8F2BTR-BC NAND闪存芯片具备多项优异的性能特点，使其在各种存储应用中表现出色。首先，该芯片采用ONFI接口标准，确保了与其他NAND闪存控制器的兼容性，同时也支持高速数据传输。其TSOP封装形式有助于提高封装密度，同时保持良好的电气性能和热稳定性。
　　该芯片的读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，能够满足大多数嵌入式系统和消费类电子产品的需求。同时，它支持缓存编程功能，可以提高编程效率，缩短数据写入时间。页面大小为2KB + 64字节的结构设计，有助于提高数据存储的灵活性，并支持ECC（错误校正码）功能，确保数据的完整性和可靠性。
　　在耐用性和可靠性方面，H27U8G8F2BTR-BC支持10万次编程/擦除周期，适用于频繁读写操作的应用环境。此外，它的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业级环境中使用，具有良好的环境适应性。

H27U8G8F2BTR-BC NAND闪存芯片广泛应用于多种需要非易失性存储的系统和设备中。典型应用包括固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、车载导航系统以及工业控制设备等。由于其高容量、高速度和高可靠性，它也常用于需要长时间数据存储和频繁读写操作的场景，例如数据记录仪、智能卡读写器以及通信设备中的固件存储。
　　在嵌入式系统中，该芯片可以作为主存储介质，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。其ONFI接口与多种主控芯片兼容，使得系统设计更加灵活。同时，其宽温工作范围使其适用于工业自动化、安防监控和车载系统等对环境适应性要求较高的场合。

H27U8G8F2CTR-BC, H27U8G8F2BTR-EM, H27U8G8F2DTR-BC, K9F8G08U0A, K9F8G08U0D