存储容量：512MB
　　存储类型：NAND闪存
　　接口类型：ONFI 2.0
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　数据传输率：50MB/s
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB
　　擦除时间：2ms
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

H27U518S2CTR-BIR NAND闪存芯片具有多个显著特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其512MB的存储容量适合需要中等存储密度的设备，同时支持ONFI 2.0接口标准，确保了高速数据传输和兼容性。该芯片的电压范围为2.7V至3.6V，使其适用于多种电源环境，并且具有较低的功耗，非常适合电池供电设备。
　　该芯片采用TSOP封装形式，提供了良好的物理稳定性和耐用性。其数据传输速率可达50MB/s，满足大多数嵌入式系统的性能需求。每个页面的大小为2KB，而每个块的大小为128KB，这使得数据管理和擦除操作更加高效。芯片的擦除时间仅为2ms，大幅提高了数据处理的速度。
　　此外，H27U518S2CTR-BIR的工作温度范围从-40°C到+85°C，使其能够在极端环境下可靠运行。这种宽温特性使其适用于工业控制、汽车电子等对环境要求较高的应用。

H27U518S2CTR-BIR NAND闪存芯片广泛应用于需要高可靠性和中等存储容量的嵌入式系统和电子设备中。例如，它被广泛用于固态硬盘（SSD）控制器、数字电视、机顶盒、网络设备和工业控制系统等。由于其低功耗特性和宽温工作范围，这款芯片也非常适合汽车电子系统，如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统。
　　在消费电子领域，H27U518S2CTR-BIR可用于智能电视、数字相框和便携式媒体播放器等设备。在工业应用中，它被用于数据记录器、工业计算机和自动化控制系统。此外，该芯片还可以用于通信设备，如路由器和交换机，以提供稳定和高速的存储解决方案。

H27U518S2CTR-BCR