容量：4GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 2.3
　　数据传输速率：50MB/s
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP
　　引脚数：52-pin
　　工艺制程：2Ynm

H27U4G8TF2ETR-BC 具备多项显著的技术特性，确保其在多种应用场景中的稳定性和可靠性。首先，其4GB的存储容量为中高端嵌入式设备提供了充足的存储空间，能够满足操作系统、应用程序及用户数据的存储需求。
　　其次，该芯片支持ONFI 2.3接口标准，具备高速数据传输能力，最大读写速度可达50MB/s，适用于需要快速数据存取的应用场景。
　　此外，H27U4G8TF2ETR-BC采用TSOP（薄型小外形封装）技术，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的便携设备使用。
　　该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较强的电压适应能力，适用于多种电源管理方案。其宽广的存储温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，广泛适用于工业控制、车载系统等恶劣环境应用。
　　最后，基于Hynix先进的2Ynm工艺制造，H27U4G8TF2ETR-BC在功耗控制和数据保持能力方面表现出色，有助于延长设备电池寿命并提升整体系统效率。

H27U4G8TF2ETR-BC 通常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统和便携设备中。其典型应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、数码相机、MP3播放器、车载导航系统、工业控制设备以及各类消费类电子产品。该芯片的高速数据传输能力、宽工作温度范围和低功耗特性，使其在需要高可靠性和稳定性能的工业和汽车应用中也具有广泛的应用前景。

H27U4G8V2ETR-BC, H27U4G8TFRCTR-BC