容量：4GB
　　接口类型：8位I/O
　　电压：2.7V - 3.6V
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

H27U4G8T2BTR-BI 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备出色的读写速度和稳定的数据存储能力。其采用的TLC技术允许每个存储单元存储三个比特的数据，从而显著提升了存储密度并降低了单位成本，非常适合用于对存储容量要求较高但成本敏感的应用场景。
　　这款芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较强的电源适应能力，能够在不同电源条件下稳定运行。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），这种封装方式体积小、重量轻，适合用于对空间有严格要求的便携式设备。
　　芯片支持标准的NAND闪存接口协议，兼容多种主控方案，便于系统集成。同时，它具备良好的耐用性和数据保持能力，能够在复杂的工作环境中长时间保持数据完整性。此外，H27U4G8T2BTR-BI 还支持错误校正码（ECC）功能，有助于提高数据传输的可靠性，减少数据错误的发生。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，如工业控制、车载系统、安防监控设备等，能够确保在极端温度条件下依然保持稳定运行。

H27U4G8T2BTR-BI 主要应用于需要中等容量非易失性存储的各类电子设备中。例如，它可以用于固态硬盘（SSD）的存储单元，为个人电脑、服务器和嵌入式设备提供快速的数据存储和读取能力；在存储卡和USB闪存盘中，这款芯片可以提供高容量和稳定的数据保存能力，适合用于数码相机、移动电源、便携式媒体播放器等消费类电子产品。
　　此外，H27U4G8T2BTR-BI 也广泛应用于工业控制系统、车载导航系统、医疗设备、智能电表等需要可靠数据存储的工业和物联网（IoT）设备中。其宽温工作能力和良好的环境适应性，使其能够在较为恶劣的工业环境中稳定运行。
　　由于其高性价比和良好的兼容性，该芯片也常用于各类嵌入式系统的启动介质或数据存储介质，如路由器、智能电视、游戏机等设备中，用于存储操作系统、固件和用户数据。

H27U4G8T2BTR-BC, H27U4G8V2BTR-BI, H27U4G8V2BTR-BC