时间：2025/9/2 10:08:59
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H27U4G8F2ETR-BI是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度、高性能的NAND Flash存储器，广泛用于需要大容量数据存储的应用场景，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、存储卡以及USB闪存盘等。该型号的H27U4G8F2ETR-BI具有48引脚TSOP封装，工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在各种恶劣环境下稳定运行。
容量：4GB
封装类型：48-TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
擦写寿命：10,000次
数据保持时间：10年
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H27U4G8F2ETR-BI是一款高性能的NAND闪存芯片，具备较高的存储密度和稳定的工作性能。其主要特性包括大容量存储能力、低功耗设计、高速数据读写能力以及较长的擦写寿命。
该芯片的4GB存储容量适用于中高端嵌入式设备和工业控制系统，能够满足对数据存储和访问速度有较高要求的应用场景。采用ONFI 2.3接口标准，使得该芯片与主控之间的通信更加高效稳定，支持快速的数据传输速率，提升系统整体响应能力。
此外，H27U4G8F2ETR-BI采用了低电压设计，工作电压范围为2.7V至3.6V，使其在多种电源环境下都能稳定运行，降低了系统功耗，延长了设备续航时间，适用于便携式电子产品和电池供电设备。
该芯片的擦写寿命高达10,000次，数据保持时间可达10年，确保了数据在长期使用中的可靠性和稳定性。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境，如工业控制、车载系统、安防设备等，增强了其在不同应用中的适应性。
在封装方面，该芯片采用48-TSOP封装形式，便于贴片安装，节省PCB空间，适合高密度电路板设计。这种封装形式也具备良好的散热性能和电气特性，有助于提升芯片在高频工作状态下的稳定性。
H27U4G8F2ETR-BI广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的电子设备中。常见的应用包括固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、工业计算机、车载导航系统、智能安防摄像头、数据采集设备、手持终端以及消费类电子产品等。
在固态硬盘领域，该芯片可作为存储介质，配合主控芯片实现高速数据读写和稳定的数据存储性能，满足用户对大容量、高速度存储的需求。
在嵌入式系统和工业控制设备中，H27U4G8F2ETR-BI可用于存储系统固件、应用程序以及用户数据，确保设备在断电情况下数据不丢失，提升系统运行的可靠性。
在车载系统中，该芯片适用于车载导航、行车记录仪等设备，能够在复杂的温度和振动环境下保持稳定运行，保障数据的完整性和安全性。
此外，H27U4G8F2ETR-BI也常用于智能摄像头、数据采集器等设备，支持长时间视频或数据的存储，适用于监控、安防等场景。
H27U4G8F2DTR-BC
