容量：4GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　存储单元类型：MLC NAND Flash
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除时间：2ms per block

H27U4G8F2CTR-BI 是一款基于MLC（多层单元）技术的NAND闪存芯片，具备较高的存储密度和较长的使用寿命。该芯片支持ONFI 1.0标准接口协议，便于与各种控制器进行通信，提高了系统的兼容性和灵活性。
　　其4GB的存储容量足以满足许多嵌入式系统和便携式设备的存储需求，同时支持ECC（错误校正码）功能，可以有效提高数据的可靠性。芯片内置的坏块管理机制和磨损均衡算法，有助于延长器件的使用寿命并提升整体性能。
　　在功耗方面，H27U4G8F2CTR-BI 设计有多种低功耗模式，适合用于电池供电设备，有助于延长设备的使用时间。此外，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。

H27U4G8F2CTR-BI 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、数码相机、MP3播放器、U盘、存储卡以及其他需要非易失性存储的电子设备。由于其较高的稳定性和广泛的温度适应性，也常用于车载电子系统和智能家电中。
　　在工业控制领域，该芯片可用于存储程序代码、配置数据和用户数据，确保设备在断电情况下仍能保留重要信息。在消费类电子产品中，如便携式媒体播放器和移动存储设备，H27U4G8F2CTR-BI 提供了可靠的存储解决方案，支持快速读写操作，提升了用户体验。
　　此外，该芯片也可用于数据记录仪、医疗设备和智能仪表等对数据存储要求较高的应用场景。

H27U4G8F2DTR-BC, H27U1G8F2CTR-BC, H27U2G8F2CTR-BC