类型：NAND闪存
　　容量：4GB（32Gb）
　　接口：ONFI 4.0
　　电压：3.3V
　　封装：TSOP
　　工作温度：-40°C至85°C
　　工艺：48层3D NAND
　　数据传输速率：高达400MT/s
　　纠错能力：支持ECC（错误校正码）
　　存储单元：SLC（单层单元）

H27U4G8F2BTR-BI NAND闪存芯片采用了先进的48层3D NAND技术，提供了更高的存储密度和更稳定的性能。相比传统的平面NAND闪存，3D NAND技术通过堆叠多层存储单元来提升容量和耐用性，同时降低单位存储成本。该芯片支持ONFI 4.0接口标准，数据传输速率可达400MT/s，满足高性能存储系统的需求。其3.3V工作电压设计有助于降低功耗，延长设备的电池寿命。
　　此外，H27U4G8F2BTR-BI具有良好的耐用性和数据保持能力，适合长期运行的工业级应用。芯片内置的错误校正码（ECC）功能可以检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。TSOP封装形式确保了芯片在各种环境下的稳定运行，适用于嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，能够在极端环境下保持正常工作，适合各种工业应用场景。H27U4G8F2BTR-BI还支持多种高级功能，如坏块管理、磨损均衡和垃圾回收，以优化存储性能和延长使用寿命。

H27U4G8F2BTR-BI NAND闪存芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、工业计算机、消费类电子产品（如智能手机和平板电脑）、网络设备和存储控制器等。其高容量和低功耗特性使其成为移动设备和嵌入式系统的理想选择。

H27UCG8T2BTR-BC, H27UCG8T2CTR-BC