容量：1Gb（128MB）
　　类型：NAND Flash
　　接口：8位并行接口（8-bit NAND interface）
　　电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　读取时间：最大70ns
　　写入/擦除时间：1ms（典型）
　　块数量：32块
　　页大小：512字节+16字节（备用区）
　　

H27U1G8F2BTR-BIR具备多项显著特性，首先是其基于SLC（Single-Level Cell）技术，这使得每个存储单元仅存储1位数据，从而提供了更高的可靠性和更长的耐久性，相较于MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）技术，擦写寿命可达10万次以上。此外，该芯片支持高速数据访问，读取时间低至70ns，适用于需要快速响应的应用场景。
　　该芯片采用标准的8位并行NAND接口，兼容大多数嵌入式控制器和存储控制器，便于系统集成。其供电电压范围为2.7V至3.6V，适应多种电源设计环境。芯片内部包含32个可独立擦除的块（block），每个块包含多个页（page），每页容量为512字节加上16字节的备用区域，用于存储ECC校验码或其他元数据。
　　在可靠性方面，H27U1G8F2BTR-BIR具备较强的抗干扰能力与数据保持能力，在高温环境下（最高85°C）仍能稳定工作，适用于工业级应用。此外，该芯片符合RoHS环保标准，支持绿色电子制造要求。

H27U1G8F2BTR-BIR 主要应用于需要高可靠性和中等存储容量的嵌入式系统，如工业控制设备、通信模块、车载电子系统、POS终端、智能卡读卡器等。由于其SLC NAND的特性，它也适用于需要频繁写入和读取的场合，例如固态硬盘（SSD）的缓存层、数据记录设备、安全监控设备等。同时，该芯片也适合用于手持设备和可穿戴设备中的非易失性存储模块，确保数据在断电后依然得以保留。

H27U1G8F2CTR-BIR, H27U1G8F2BTR-BCB, H27U1G8F2BTR-EMC, H27U1G8F2BTR-TCB