时间：2025/9/1 22:57:01
阅读：10
H27U1G8F2BTR-BC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件，适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。其型号中的各个部分表示不同的特性：H27U表示产品系列，1G8表示存储容量和位宽，F2表示特定的封装和功能版本，BTR表示封装类型，BC表示特定的电气特性和工作温度范围。
存储容量：1GB
位宽：8位
封装类型：TSOP
工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：NAND
电压范围：2.3V - 3.6V
擦写周期：10万次
数据保持时间：10年
H27U1G8F2BTR-BC IC 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有较大的存储容量和稳定的读写性能。该芯片采用8位并行接口，支持高速数据传输，适用于嵌入式系统和需要大量数据存储的设备。其TSOP封装形式有助于减少空间占用，同时具备良好的散热性能。此外，该芯片支持多种NAND闪存管理功能，如错误校正（ECC）、坏块管理和磨损均衡，以提高数据的可靠性和存储寿命。
这款芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有宽泛的电源适应能力，适用于多种供电环境。其擦写周期可达10万次，确保了长期使用的耐久性，数据保持时间长达10年，即使在断电情况下也能可靠保存数据。工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境，如工业控制、车载设备和户外监控系统。
H27U1G8F2BTR-BC IC 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中，如智能卡终端、工业控制系统、车载导航设备、安全监控设备和便携式电子设备。由于其高可靠性和宽温工作范围，该芯片也常用于工业自动化设备和通信设备中的固件存储和数据记录模块。此外，该芯片还可用于嵌入式Linux系统、手持终端设备和物联网（IoT）设备中，作为系统启动存储器或数据存储介质。
K9F1G08U0B-PCB0, MT29F1G08ABBEAWP
