时间：2025/9/2 8:23:32
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H27S2G8F2CFR-BI是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片，属于消费级和工业级存储解决方案的一部分。该芯片设计用于需要大容量非易失性存储的应用场景，例如固态硬盘、嵌入式系统、存储卡等。H27S2G8F2CFR-BI采用2Gbit容量设计，支持8位数据总线宽度，并且具有较高的读写速度和可靠性。
容量：2Gbit
数据总线宽度：8位
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
接口类型：ONFI 1.0兼容
编程/擦除电压：2.7V至3.6V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除时间：块擦除时间约2ms
块数量：512块
页面大小：512字节
可靠性：10万次擦写周期
数据保持时间：10年
H27S2G8F2CFR-BI是一款具备高性能和高可靠性的NAND闪存芯片，适用于多种嵌入式存储应用。其主要特性包括宽电压工作范围（2.7V至3.6V），支持多种电源管理方案，适合电池供电设备使用。该芯片采用了TSOP封装形式，有助于提高空间利用率和信号完整性。
在性能方面，H27S2G8F2CFR-BI具备较快的读写速度，能够满足大多数嵌入式系统的数据访问需求。其ONFI 1.0兼容接口提供了标准化的访问方式，简化了系统设计和驱动开发。此外，该芯片支持坏块管理功能，确保在使用过程中数据的完整性和稳定性。
可靠性方面，H27S2G8F2CFR-BI具备10万个擦写周期，数据保持时间长达10年，适用于需要频繁读写或长期数据存储的应用场景。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
为了进一步提升系统的稳定性，H27S2G8F2CFR-BI还支持ECC（错误校正码）功能，可以在数据读取过程中检测并纠正单比特错误，确保数据的准确性。
H27S2G8F2CFR-BI广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备中。典型应用包括固态硬盘控制器、工业计算机、医疗设备、车载导航系统、数字电视、机顶盒、网络设备等。其高可靠性和宽温工作范围使其成为工业级和汽车电子应用的理想选择。此外，该芯片也可用于消费类电子产品，如数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等需要大容量非易失性存储的设备。
H27S2G8F2CFR-BI的替代型号包括H27U1G8F2BTR-BC、H27S51208F0B-AC、H27S1G8F2CFR-BI等。这些型号在容量、封装和电气特性上有所不同，可根据具体应用需求选择合适的替代方案。
