时间：2025/9/2 7:25:51
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H27S1G8F2CFR-BC是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的1Gbit（128MB）NAND闪存芯片。该芯片采用8位I/O接口设计，适用于需要大容量存储和高性能数据传输的应用场景。其采用先进的非易失性存储技术，能够在断电情况下保持数据完整性，广泛用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、USB存储设备、工业控制系统和消费类电子产品中。该芯片封装小巧，具备低功耗、高可靠性和长使用寿命的特点，适用于各种严苛的环境条件。
容量：1Gbit（128MB）
电压范围：2.7V至3.6V
接口类型：8位并行I/O接口
存储结构：NAND闪存
页面大小：512字节 + 16字节备用空间（OOB）
块大小：32页/块（16KB数据 + 512字节OOB）
擦写寿命：10万次/块
数据保持时间：10年
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H27S1G8F2CFR-BC是一款高性能、高可靠性的NAND闪存芯片，其主要特性包括高容量、高速读写能力以及长使用寿命。该芯片的1Gbit存储容量适用于多种嵌入式应用，其并行8位I/O接口提供了较高的数据传输速率，支持快速读写操作。此外，该芯片具备低功耗设计，能够在多种电源条件下稳定运行，非常适合便携式设备和电池供电系统。
该芯片的擦写寿命高达10万次/块，确保了长期使用的稳定性，同时支持10年的数据保持能力，适合需要长期数据存储的工业和商业应用。内置的OOB（Out-Of-Band）区域可用于存储ECC校验信息或元数据，提高了数据的完整性和可靠性。
该芯片采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于自动化生产和高温环境下的运行。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境中稳定工作，广泛应用于工业控制、车载系统和通信设备。
H27S1G8F2CFR-BC广泛应用于需要高可靠性和大容量存储的嵌入式系统和消费类电子产品中。典型应用包括固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、数字相机、MP3播放器、机顶盒、路由器、工业控制设备和车载导航系统等。该芯片的高性能和低功耗特性使其成为便携式设备和嵌入式系统的理想选择。
K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3AFT00, MT29F1G08ABBDA4-5:C, HY27US08121A
