H27S1G8F2BFR-BC 时间：2025/9/2 11:06:17 阅读：10

H27S1G8F2BFR-BC是一款由SK Hynix（海力士）生产的NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度、高性能的NAND闪存产品，广泛应用于需要大容量存储和高速数据读写的设备中，如SSD（固态硬盘）、嵌入式存储系统、工业控制系统以及消费类电子产品。该芯片采用8位并行接口设计，支持快速的数据传输速率，并具备较高的耐用性和可靠性。

参数

容量：1Gb（128MB）
　　架构：NAND Flash
　　接口类型：8位并行接口（x8）
　　电源电压：3.3V
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
　　擦写寿命：10万次（典型值）
　　数据保存时间：10年（典型值）
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s

特性

H27S1G8F2BFR-BC作为一款NAND闪存芯片，具备多项高性能和可靠性特点。首先，其1Gb的存储容量在嵌入式系统和中端存储设备中具备良好的适用性，能够满足基本的存储需求。8位并行接口设计使其在数据传输方面具备较高的带宽，适用于需要快速读写操作的应用场景。
　　其次，该芯片采用3.3V供电设计，具有较低的功耗，适合嵌入式系统和电池供电设备使用。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并增强散热性能。
　　另外，H27S1G8F2BFR-BC的工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其适用于工业级环境，能够稳定运行在较为严苛的温度条件下。芯片的擦写寿命高达10万次，数据保存时间长达10年，显示出良好的耐用性和长期数据可靠性。
　　此外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提高系统的稳定性和数据完整性。适用于需要高可靠性的工业控制、通信设备和车载系统等领域。