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H27Q2T8CQC3R-BCG 发布时间 时间:2025/9/1 13:50:56 查看 阅读:9

H27Q2T8CQC3R-BCG是一款由SK Hynix(海力士)制造的NAND闪存芯片。该芯片属于高密度、高性能的NAND闪存产品系列,广泛应用于存储设备如固态硬盘(SSD)、嵌入式系统以及各种便携式电子设备中。该芯片采用TLC(Triple-Level Cell)技术,每个存储单元可存储3位数据,从而在保持合理成本的同时提供了较高的存储密度。H27Q2T8CQC3R-BCG采用529-ball FBGA封装,适用于紧凑型电子设备的设计。

参数

品牌:SK Hynix
  型号:H27Q2T8CQC3R-BCG
  类型:NAND闪存
  容量:256Gbit(32GB)
  封装:529-ball FBGA
  工作电压:1.8V
  接口类型:ONFI 3.0
  数据读取速度:最高可达500MB/s
  数据写入速度:最高可达200MB/s
  擦除速度:块擦除时间约2ms
  缓存:支持缓存编程和随机数据读取
  纠错能力:支持ECC(错误校正码)功能

特性

H27Q2T8CQC3R-BCG NAND闪存芯片具有多项显著的技术特性,首先,其采用TLC技术,使得每存储单元可存储3位数据,大幅提升了存储密度,降低了单位存储成本。这种技术适用于需要大容量存储但对成本敏感的应用场景。
  其次,该芯片的工作电压为1.8V,具有较低的功耗特性,适合用于对能耗要求较高的便携式设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。此外,该芯片支持ONFI 3.0接口标准,确保了与主控芯片的高速数据传输,最高读取速度可达500MB/s,写入速度可达200MB/s,满足了现代设备对快速数据存取的需求。
  该芯片还具备缓存编程和随机数据读取功能,提升了数据处理效率。同时,其内置ECC(错误校正码)功能可在数据读取过程中自动纠正错误,提高了数据存储的可靠性。此外,H27Q2T8CQC3R-BCG支持块擦除功能,擦除时间仅为2ms左右,确保了高效的存储管理。
  在封装方面,该芯片采用529-ball FBGA封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛适用于嵌入式存储系统和SSD模块。

应用

H27Q2T8CQC3R-BCG NAND闪存芯片适用于多种电子设备和系统,包括但不限于固态硬盘(SSD)、嵌入式多媒体控制器(eMMC)、UFS(通用闪存存储)模块、智能手机、平板电脑、可穿戴设备、工业控制系统以及车载信息娱乐系统(IVI)。由于其高性能、低功耗和紧凑封装的特点,该芯片特别适用于需要大容量存储空间但对功耗和尺寸有严格要求的消费类电子产品。此外,它也常用于工业级设备中,如数据采集系统、工业自动化设备和医疗电子设备,以确保数据的稳定存储和高效访问。
  在固态硬盘领域,该芯片可作为存储介质使用,配合主控芯片实现高速数据读写。在移动设备中,H27Q2T8CQC3R-BCG可作为内部存储器,用于安装操作系统、应用程序和用户数据。其高可靠性和纠错能力也使其适用于车载系统和工业控制系统,确保在复杂环境下数据的完整性和稳定性。
  此外,该芯片还可用于各种便携式存储设备,如USB闪存盘和存储卡,提供大容量和高性能的存储解决方案。其ONFI 3.0接口支持高速数据传输,满足现代设备对存储速度的要求。

替代型号

H27U2T8CFC3R-BCG, H27Q2T8CFB3R-BCG, H27Q2T8CQD3R-BCG

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