H26M68003DMR 时间：2025/9/1 23:22:59 阅读：24

H26M68003DMR是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的存储器芯片，主要用于嵌入式系统和特定应用领域。该芯片属于静态随机存取存储器（SRAM）类别，具有高速读写能力，适用于需要快速数据存取的场景。H26M68003DMR采用CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点。

参数

容量：64K x 8位
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据访问时间：10ns
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：54-TSOP
　　最大工作频率：166MHz
　　接口类型：并行接口
　　数据保持电压：2.0V至3.6V

特性

H26M68003DMR的主要特性之一是其高速存取能力，数据访问时间仅为10ns，这使得它非常适合用于需要快速响应的实时系统。此外，该芯片采用低功耗CMOS技术，在待机模式下功耗极低，适合电池供电设备或对能耗有严格要求的应用场景。
　　H26M68003DMR的另一个关键特性是其宽电压工作范围，支持2.0V至3.6V的电源电压，使其在不同供电条件下仍能稳定运行。芯片内置自动刷新电路，确保数据在断电后仍可保持一段时间，提高了系统的可靠性。
　　该芯片还具有高抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作，适用于工业控制、通信设备和汽车电子等应用。H26M68003DMR采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和较高的集成度，便于在紧凑的电路板设计中使用。

应用

H26M68003DMR广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景，如嵌入式控制器、网络设备、打印机、工业自动化设备和医疗仪器。在通信设备中，该芯片可用于缓存数据包和临时存储协议信息，提高数据传输效率。在汽车电子系统中，H26M68003DMR可用于存储实时传感器数据和控制指令，确保车辆控制系统的快速响应。
　　此外，由于其低功耗和高稳定性，H26M68003DMR也常用于便携式设备和手持终端，如智能电表、PDA和手持式测试仪器。在工业控制系统中，它可以作为高速缓存用于PLC（可编程逻辑控制器）或其他实时控制设备，以提升系统性能和稳定性。