H26M52208FPRA 时间：2025/9/2 9:46:35 阅读：27

H26M52208FPRA 是一颗由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片通常用于需要中等容量内存存储的电子设备，如嵌入式系统、工业控制设备或消费类电子产品。它具有一定的存储容量和较高的数据存取速度，能够在各种工作环境下稳定运行。H26M52208FPRA采用标准的封装形式，便于集成到多种电路设计中，适用于需要快速数据访问和可靠存储的应用场景。

参数

容量：256Mb
　　组织方式：256M x1
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：TSOP
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：1位
　　存储架构：DRAM

特性

H26M52208FPRA是一款高性能的DRAM芯片，具备较高的数据访问速度和稳定性。其256Mb的存储容量适合用于需要中等规模内存缓存的应用。该芯片支持166MHz的时钟频率，能够实现快速的数据读写操作，适用于对数据传输速度有较高要求的系统。
　　该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，有助于延长设备的电池寿命或降低系统整体能耗。此外，H26M52208FPRA支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够有效维持数据完整性，减少主控芯片的负担，提高系统的稳定性。
　　在封装方面，H26M52208FPRA采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，具有良好的电气性能和热稳定性，适合用于高密度PCB布局设计。该封装形式也便于自动化生产和焊接，提高了生产效率和可靠性。
　　工作温度范围为-40°C至+85°C，使得H26M52208FPRA能够在恶劣的工业环境或高温环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用场景。

应用

H26M52208FPRA 主要应用于需要中等容量内存存储和高速数据访问的嵌入式系统和电子设备。常见应用包括工业控制设备、通信模块、网络设备、视频采集与处理系统、便携式电子产品等。由于其低功耗、高速访问和宽温工作特性，特别适用于对稳定性、功耗和性能都有一定要求的系统设计。此外，该芯片也可用于图像处理设备或数据缓存模块，为系统提供临时数据存储支持。