您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H26M52103FMRR

H26M52103FMRR 发布时间 时间:2025/9/2 2:19:37 查看 阅读:5

H26M52103FMRR 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度存储解决方案,适用于需要高速数据访问和较大存储容量的应用场景。作为一款DRAM芯片,H26M52103FMRR 提供了较高的数据传输速率和较低的功耗,适用于消费类电子产品、工业控制系统以及网络设备等领域。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  数据速率:10ns、8ns、7.5ns等多种版本
  访问时间:5.4ns
  封装尺寸:54-pin TSOP
  接口类型:异步DRAM接口

特性

H26M52103FMRR 芯片具备多项高性能和可靠性特性。其异步DRAM架构支持高速数据访问,适合需要快速响应的系统应用。该芯片支持多种访问速度选项,包括10ns、8ns和7.5ns等版本,为不同性能需求提供了灵活性。电源电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在多种供电条件下稳定运行,适应不同系统的设计需求。
  此外,H26M52103FMRR 采用54-pin TSOP封装形式,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在工业级温度环境下仍能保持稳定运行,提高了芯片的适用性和可靠性。

应用

H26M52103FMRR 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费类电子产品(如数码相机、MP3播放器、智能卡等)以及车载电子系统。由于其高容量、低功耗和多种访问速度选项,该芯片特别适合用于需要中等容量内存支持的嵌入式处理器系统,如单片机、FPGA开发板和工业自动化控制器。
  此外,该芯片也可用于网络设备中的数据缓冲存储器,提供快速的数据读写能力,提升系统整体性能。在消费类电子产品中,H26M52103FMRR 可作为图像缓存或临时数据存储单元,支持高分辨率图像和音频的处理需求。

替代型号

IS61LV25616-10B4I, CY62148EVLL-45BZE3, A2VDD256A40BFI

H26M52103FMRR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价