H26M52002EQR 时间：2025/9/2 10:45:28 阅读：19

H26M52002EQR是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要应用于需要高性能内存的电子设备中。该芯片具备较大的存储容量和较快的数据存取速度，适合用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及其他需要可靠内存解决方案的场合。H26M52002EQR采用先进的DRAM技术，提供了稳定的数据存储和读写性能。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：标准TSOP
　　接口类型：并行

特性

H26M52002EQR芯片具备多个关键特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其256MB的存储容量和x16的组织结构可以满足高性能系统对内存的需求，提供高效的数据处理能力。该芯片支持166MHz的时钟频率，确保了快速的数据存取，降低了系统延迟。
　　该DRAM芯片的电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同电源环境下都能稳定运行，适用于多种电源设计。此外，H26M52002EQR采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
　　芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在严苛的环境条件下稳定工作，确保设备在各种应用场景下的可靠性。64ms的刷新周期有助于保持数据的完整性，同时减少功耗，提高能效。
　　H26M52002EQR的并行接口设计简化了与主控芯片的连接，提高了系统的整体性能。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、网络设备、通信设备等领域的理想选择。