H26M52002EQR是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要应用于需要高性能内存的电子设备中。该芯片具备较大的存储容量和较快的数据存取速度,适合用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及其他需要可靠内存解决方案的场合。H26M52002EQR采用先进的DRAM技术,提供了稳定的数据存储和读写性能。
类型:DRAM
容量:256MB
组织结构:x16
电压:2.3V - 3.6V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
时钟频率:166MHz
数据速率:166MHz
访问时间:5.4ns
刷新周期:64ms
封装尺寸:标准TSOP
接口类型:并行
H26M52002EQR芯片具备多个关键特性,使其在各种应用中表现出色。首先,其256MB的存储容量和x16的组织结构可以满足高性能系统对内存的需求,提供高效的数据处理能力。该芯片支持166MHz的时钟频率,确保了快速的数据存取,降低了系统延迟。
该DRAM芯片的电压范围为2.3V至3.6V,使其在不同电源环境下都能稳定运行,适用于多种电源设计。此外,H26M52002EQR采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。
芯片的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),可在严苛的环境条件下稳定工作,确保设备在各种应用场景下的可靠性。64ms的刷新周期有助于保持数据的完整性,同时减少功耗,提高能效。
H26M52002EQR的并行接口设计简化了与主控芯片的连接,提高了系统的整体性能。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制、网络设备、通信设备等领域的理想选择。
H26M52002EQR广泛应用于多种需要高性能内存的电子设备中。其主要应用领域包括工业控制系统、嵌入式系统、网络路由器和交换机、通信设备、视频监控设备以及医疗电子设备。在这些应用中,H26M52002EQR提供了稳定可靠的内存解决方案,确保系统高效运行并具备良好的数据处理能力。
H26M52002ASR, H26M52002FBR, H26M52002FQR