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H26M42003FMR 发布时间 时间:2025/9/2 3:16:54 查看 阅读:5

H26M42003FMR 是一款由 HanRun(华润微电子)推出的高性能、低功耗的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动芯片,主要用于电源管理和电机控制应用。该器件采用先进的高压工艺制造,具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于工业自动化、开关电源、直流电机驱动等多种应用场景。

参数

类型:MOSFET驱动器
  通道类型:半桥驱动
  工作电压范围:10V ~ 20V
  输出电流(峰值):±4.0A
  输入信号类型:TTL/CMOS兼容
  传播延迟:典型值 100ns
  工作温度范围:-40°C ~ +150°C
  封装类型:SOP-8
  绝缘耐压:5000Vrms(适用于隔离型版本)

特性

H26M42003FMR 具备多种先进的功能特性,能够满足高要求的功率转换和驱动应用需求。其内部集成了高端和低端驱动电路,构成一个完整的半桥驱动结构,支持高侧和低侧 MOSFET 的高效控制。该芯片采用高压电平转换技术,能够承受高达 600V 的电压,适用于高电压应用环境。
  此外,H26M42003FMR 具备快速的响应能力,传播延迟时间仅为 100ns 左右,确保了系统在高频开关操作下的稳定性与效率。其输出驱动能力高达 ±4.0A,可有效驱动大功率 MOSFET 器件,减少开关损耗并提高整体系统效率。
  在保护方面,H26M42003FMR 内置欠压锁定(UVLO)功能,能够在供电电压不足时自动关闭输出,防止因驱动电压不足导致的 MOSFET 异常导通或损坏。同时,该芯片具备较强的抗干扰能力,输入端兼容 TTL 和 CMOS 电平,适用于多种控制器接口设计。
  封装方面,H26M42003FMR 采用 SOP-8 封装形式,结构紧凑,便于 PCB 布局,且具备良好的散热性能。对于需要电气隔离的应用场景,该芯片也有提供带隔离功能的版本,绝缘耐压可达 5000Vrms,极大增强了系统的安全性和可靠性。

应用

H26M42003FMR 主要用于需要高效驱动功率 MOSFET 的场合,例如:无刷直流电机(BLDC)控制器、变频器、工业自动化设备、开关电源(SMPS)、逆变器、UPS(不间断电源)系统以及电动汽车充电模块等。由于其高耐压、高驱动能力和良好的隔离性能,该芯片在工业和汽车电子领域中被广泛应用。

替代型号

IR2104S、LM5106、TC4420、FAN7382、H26M42003FMR 可互换

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