时间：2025/9/1 20:24:00
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H26M42002GMR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，具体型号为H26M42002GMR，容量为8GB。该芯片采用先进的DRAM技术，适用于需要高性能内存解决方案的应用场景。
类型: DRAM
容量: 8GB
封装: 188-BGA
电压: 1.35V
频率: 2133MHz
数据速率: 2133Mbps
CAS延迟: 15
行地址位数: A0-A15
列地址位数: A0-A9
数据总线宽度: x8
工作温度范围: 0°C 至 85°C
H26M42002GMR是一款高性能的DRAM芯片，专为需要高速数据访问和大容量存储的应用而设计。该芯片支持2133MHz的时钟频率，提供高达2133Mbps的数据传输速率，使其在处理大量数据时表现出色。
这款DRAM芯片采用了低功耗设计，工作电压为1.35V，有助于降低系统整体能耗，同时保持高性能表现。其188-BGA封装形式适用于现代高密度电路板设计，适合用于嵌入式系统和高性能计算设备。
该芯片的CAS延迟为15，虽然相对较高，但由于其高频率的支持，仍然能够提供快速的数据访问能力。行地址和列地址的位数分别为A0-A15和A0-A9，支持较大的内存寻址空间。数据总线宽度为x8，适合需要高带宽的应用场景。
H26M42002GMR支持0°C至85°C的工作温度范围，适用于多种环境条件，具有良好的稳定性和可靠性。这些特性使其成为服务器、工作站、高端PC以及需要高性能内存系统的理想选择。
H26M42002GMR芯片广泛应用于需要高性能内存的设备中，包括服务器、工作站、高端PC、嵌入式系统以及各种高性能计算设备。其高速数据传输能力和大容量存储特性，使其在处理复杂任务和大数据集时表现出色。
H5AN8G8NDFR-XNSM, H9HQ8ALUDBMAR8D
