时间：2025/9/1 10:44:36
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H26M42002GMB是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能计算和嵌入式系统设计。该芯片提供256MB的存储容量，工作频率高达166MHz，适用于需要快速数据处理的应用场景。
容量：256MB
频率：166MHz
电压：3.3V
封装类型：TSOP
数据宽度：16位
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：54引脚
H26M42002GMB具备低功耗设计，能够在高频操作下保持稳定性，适用于长时间运行的设备。其16位数据宽度提高了数据传输效率，支持快速读写操作。此外，该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业环境中使用。
这款DRAM芯片还具备自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问时仍能保持完整。其工业级温度范围使其能够在恶劣环境下可靠运行，广泛应用于工业控制、网络设备和通信系统。
H26M42002GMB常用于需要高性能内存支持的设备，如路由器、交换机、工业控制器和嵌入式系统。其高速数据处理能力和稳定性也使其适用于消费类电子产品，如高端智能手机和数字电视。
H26M42002GMB-A0
