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H26M42002GMB 发布时间 时间:2025/9/1 10:44:36 查看 阅读:12

H26M42002GMB是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为高性能计算和嵌入式系统设计。该芯片提供256MB的存储容量,工作频率高达166MHz,适用于需要快速数据处理的应用场景。

参数

容量:256MB
  频率:166MHz
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  数据宽度:16位
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:54引脚

特性

H26M42002GMB具备低功耗设计,能够在高频操作下保持稳定性,适用于长时间运行的设备。其16位数据宽度提高了数据传输效率,支持快速读写操作。此外,该芯片采用TSOP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在工业环境中使用。
  这款DRAM芯片还具备自动刷新和自刷新功能,确保数据在不频繁访问时仍能保持完整。其工业级温度范围使其能够在恶劣环境下可靠运行,广泛应用于工业控制、网络设备和通信系统。

应用

H26M42002GMB常用于需要高性能内存支持的设备,如路由器、交换机、工业控制器和嵌入式系统。其高速数据处理能力和稳定性也使其适用于消费类电子产品,如高端智能手机和数字电视。

替代型号

H26M42002GMB-A0

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