时间：2025/5/20 15:21:55
阅读：22
H26M41208HPR 是一款由东芝（Toshiba）生产的高速 CMOS SRAM 存储芯片，采用 5V 工作电压设计。该芯片具有高可靠性、低功耗和快速存取时间的特点，适用于工业控制、通信设备及高性能计算等应用场景。其存储容量为 4M x 18b，支持同步读写操作，确保在复杂系统中实现高效的数据处理。
存储容量：4M x 18b
工作电压：4.5V 至 5.5V
访问时间：10ns
数据保持时间：200ms（最大值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：176 引脚 FBGA
接口类型：同步 SRAM
引脚间距：1.0mm
H26M41208HPR 芯片具有以下显著特性：
1. 高速运行：支持 10ns 的访问时间，可满足对速度要求极高的应用需求。
2. 可靠性高：采用了先进的 CMOS 工艺制造，具备出色的抗干扰能力和长时间稳定性。
3. 同步操作：支持时钟同步读写功能，便于与各类处理器无缝对接。
4. 大容量存储：提供 4M x 18b 的存储空间，适合需要较大内存的应用场景。
5. 环境适应性强：能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内正常工作，适用于恶劣环境下的工业级应用。
6. 低功耗设计：即使在高频运行下也能维持较低的能耗水平。
H26M41208HPR 主要应用于以下领域：
1. 工业自动化设备：如 PLC 控制器、数控机床等，用于缓存实时数据或程序指令。
2. 通信设备：包括路由器、交换机等网络设备中的数据缓冲。
3. 医疗电子：例如超声波设备、CT 扫描仪中的图像处理模块。
4. 嵌入式系统：用于嵌入式处理器的外部扩展存储，提升系统性能仪器：例如示波器、信号分析仪等需要高速数据采集的场合。
H26M41208FPR, H57M41208HPR
