H26M41204HPR 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用高性能的CMOS技术,提供较大的存储容量和较快的数据访问速度,适用于需要较高内存性能的电子设备。H26M41204HPR 通常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品中,为系统提供临时数据存储。
容量:16MB
组织结构:4M x 4
电压:3.3V
封装类型:TSOP
引脚数:54
访问时间:5.4ns
时钟频率:166MHz
工作温度范围:工业级(-40℃ ~ +85℃)
H26M41204HPR 具备高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,支持166MHz的时钟频率,适用于对性能要求较高的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保证高性能的同时,有效降低功耗。
其TSOP封装形式有助于提高封装密度,减少PCB空间占用,并提供良好的散热性能。54引脚的接口设计确保了稳定的数据传输和电源供应。
此外,H26M41204HPR 支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式,适用于电池供电或需要节能设计的设备。
工作温度范围覆盖工业级标准(-40℃至+85℃),使其适用于各种严苛环境下的稳定运行。
H26M41204HPR 常用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备、通信模块、打印机、扫描仪等需要高速缓存的场合。其低功耗与宽温特性也使其适合在便携式设备、车载系统和智能家电中使用。
例如,在网络交换机或路由器中,该芯片可作为高速缓存用于暂存数据包;在工业控制设备中,可用于提高系统响应速度和处理能力;在消费类电子产品中,如多媒体播放器或智能家电中,也能提供可靠的内存支持。
IS42S16400J-6T, CY7C1380D-5A, IDT71V416S161BHI6B