时间：2025/9/2 11:50:29
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H26M41204HPR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用高性能的CMOS技术，提供较大的存储容量和较快的数据访问速度，适用于需要较高内存性能的电子设备。H26M41204HPR 通常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品中，为系统提供临时数据存储。
容量：16MB
组织结构：4M x 4
电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
访问时间：5.4ns
时钟频率：166MHz
工作温度范围：工业级(-40℃ ~ +85℃)
H26M41204HPR 具备高速存取能力，访问时间仅为5.4ns，支持166MHz的时钟频率，适用于对性能要求较高的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS技术，在保证高性能的同时，有效降低功耗。
其TSOP封装形式有助于提高封装密度，减少PCB空间占用，并提供良好的散热性能。54引脚的接口设计确保了稳定的数据传输和电源供应。
此外，H26M41204HPR 支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式，适用于电池供电或需要节能设计的设备。
工作温度范围覆盖工业级标准（-40℃至+85℃），使其适用于各种严苛环境下的稳定运行。
H26M41204HPR 常用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备、通信模块、打印机、扫描仪等需要高速缓存的场合。其低功耗与宽温特性也使其适合在便携式设备、车载系统和智能家电中使用。
例如，在网络交换机或路由器中，该芯片可作为高速缓存用于暂存数据包；在工业控制设备中，可用于提高系统响应速度和处理能力；在消费类电子产品中，如多媒体播放器或智能家电中，也能提供可靠的内存支持。
IS42S16400J-6T, CY7C1380D-5A, IDT71V416S161BHI6B
