H26M41104HPR 时间：2025/9/1 23:54:31 阅读：7

H26M41104HPR是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高性能存储器，广泛应用于计算机系统、工业设备、网络设备和其他需要快速数据处理的领域。H26M41104HPR采用先进的制造工艺，提供可靠的数据存储和高速访问能力，适用于需要高性能内存解决方案的各类电子设备。

参数

容量：256Mb
　　组织结构：16M x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

特性

H26M41104HPR具备多项显著特性，首先，其256Mb的存储容量和16M x16的组织结构使其适用于中等规模的内存需求。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同电源条件下都能稳定运行，适应性强。
　　访问时间为55ns，意味着该芯片能够提供较快的数据存取速度，满足大多数高性能应用的需求。TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还有助于提高散热性能，确保在高负载下稳定运行。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的设备。其54引脚的封装设计有助于简化PCB布局，提高电路设计的灵活性。
　　此外，H26M41104HPR在设计上注重低功耗运行，能够在保证性能的同时减少能耗，适合需要长时间运行的设备使用。

应用

H26M41104HPR主要应用于工业控制系统、网络设备、通信模块、嵌入式系统以及消费类电子产品中。在工业自动化设备中，它用于存储运行时数据和缓存信息，以提高系统响应速度。在网络设备中，如路由器和交换机，该芯片可提供临时数据存储，支持高速数据交换。在嵌入式系统中，例如智能家电和自动化仪表，H26M41104HPR用于支持实时操作系统和应用程序的运行。