时间：2025/9/2 1:51:40
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H26M41104HPR(8GB) 是一款由SK hynix公司生产的DRAM内存芯片，容量为8GB，主要面向高性能计算、服务器和高端桌面应用。该芯片基于先进的DRAM技术制造，具备高速读写能力和低延迟特性，能够在高负载环境下保持稳定运行。
容量：8GB
接口类型：DDR4
工作电压：1.2V
时钟频率：2666MHz
数据速率：2666Mbps
CL延迟：19
封装类型：FBGA
引脚数：78
工作温度：0°C至85°C
H26M41104HPR(8GB) 具备多项高性能特性。首先，其2666MHz的时钟频率和数据速率确保了快速的数据访问和传输，适用于需要高带宽的应用场景。其次，该芯片采用了DDR4接口标准，相较于前代DDR3在功耗和性能方面都有显著提升，1.2V的工作电压降低了能耗，提高了能效比。
此外，H26M41104HPR(8GB) 的CL延迟为19，虽然略高于部分高频内存，但在实际应用中表现出了良好的稳定性和兼容性，适合用于服务器和工作站等对稳定性要求极高的场景。该芯片采用FBGA封装，提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
该芯片主要应用于高性能计算、服务器、数据中心、高端桌面计算机以及需要大量内存支持的嵌入式系统。其高带宽和低延迟特性使其特别适合运行数据库、虚拟化平台、人工智能训练和图形处理等资源密集型任务。
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