容量：8GB
　　接口：eMMC 5.1
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　最大读取速度：400MB/s
　　最大写入速度：200MB/s
　　温度范围：-25°C至+85°C
　　封装尺寸：11.5mm x 12.8mm x 1.0mm
　　NAND闪存类型：MLC

H26M41103HPR(8GB) 具备多种先进特性，使其适用于广泛的工业和消费类应用。首先，该器件支持eMMC 5.1接口标准，提供高达400MB/s的顺序读取速度和200MB/s的写入速度，满足高性能存储需求。其采用MLC（多层单元）NAND闪存技术，相比传统TLC NAND，具有更高的耐用性和更长的数据保持时间，适用于频繁读写的应用场景。
　　此外，该模块内置eMMC控制器，负责管理坏块管理、磨损均衡、错误校正（ECC）等功能，有效延长存储设备的使用寿命并提高数据可靠性。其紧凑的封装尺寸（11.5mm x 12.8mm x 1.0mm）使其非常适合空间受限的便携式设备设计。　　总体而言，H26M41103HPR(8GB) 是一款高性能、高可靠性的嵌入式存储解决方案，适用于对数据存储和传输速度有较高要求的应用场景。

该器件广泛应用于需要嵌入式存储解决方案的电子设备中。例如，在智能手机和平板电脑中，H26M41103HPR(8GB) 可作为主存储器，用于安装操作系统、应用程序和用户数据，其高速读写性能有助于提升设备的整体响应速度和用户体验。在工业控制领域，该模块可用于嵌入式控制系统中，实现高速数据采集、存储和处理，适用于自动化设备、智能仪表和工业计算机。
　　在汽车电子系统中，该eMMC模块可用于车载信息娱乐系统（IVI）、车载记录仪（DVR）和高级驾驶辅助系统（ADAS），其宽温工作范围和高可靠性确保在复杂车载环境下的稳定运行。此外，该器件还可用于智能家电、安防监控设备、医疗电子设备等需要高可靠性和高性能存储的场景。
　　由于其紧凑的封装设计和低功耗特性，H26M41103HPR(8GB) 也非常适合用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备，支持数据的本地存储与快速访问，满足智能终端对数据处理能力的需求。

H26M42103HPR(8GB), H26M41103FPR(8GB), H26M41103HBR(8GB)