时间：2025/9/2 9:09:55
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H26M32001DAR是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的存储器芯片，属于DRAM（动态随机存取存储器）类别。该芯片通常用于需要高性能和高密度存储的应用中，如消费类电子产品、工业控制系统以及嵌入式设备。它具备较大的存储容量、较高的数据访问速度以及较低的功耗，是一款在多种应用场景中广泛使用的存储解决方案。
容量：256Mb
组织结构：16M x16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：异步
刷新周期：64ms
数据保持电压：1.5V（最小）
H26M32001DAR具有多个显著特性，适用于广泛的存储应用。首先，其异步接口设计使其能够灵活地与多种控制器配合使用，而不需要严格的时钟同步。这在某些嵌入式系统和工业控制应用中尤为重要。
其次，该芯片支持多种工作电压范围，使其能够在不同的电源条件下稳定运行，适应性强。此外，其低功耗设计使其适用于对能耗敏感的便携式设备。
该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的体积，适合在空间受限的设计中使用。工作温度范围较宽，从-40°C到+85°C，确保其在恶劣环境下仍能稳定运行。
最后，H26M32001DAR具备较长的数据保持时间，在掉电情况下仍可通过数据保持电压维持存储数据的完整性，适合需要长期存储数据的应用场景。
H26M32001DAR通常用于需要高性能、低功耗和小型化设计的电子设备中。其典型应用包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品（如数字电视、机顶盒）、网络设备以及通信模块等。在这些应用中，该芯片能够提供可靠的存储能力，并适应不同的工作环境条件。
ISSI IS42S16256A、Micron MT48LC16M2A2B4-6A
