时间：2025/9/2 1:26:42
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H26M31003GMR(4GB) 是由SK hynix生产的一款DRAM内存芯片，属于高密度存储器芯片系列中的一种。该型号的容量为4GB，通常用于需要高性能存储解决方案的设备中，如移动设备、嵌入式系统和计算设备。这款芯片采用了先进的制造工艺，具有较高的稳定性和可靠性，能够在多种工作环境下保持良好的性能。
容量：4GB
类型：DRAM
封装类型：BGA
接口类型：Parallel
工作电压：1.8V
数据宽度：16位
频率：166MHz
温度范围：-40°C至85°C
H26M31003GMR(4GB) 内存芯片采用了先进的DRAM技术，具备出色的性能和可靠性。该芯片支持高速数据访问，频率可达166MHz，适用于需要快速数据处理的应用场景。其1.8V的工作电压设计不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，从而提高了设备的能效和稳定性。
此外，该芯片的封装形式为BGA（球栅阵列封装），能够提供更好的电气性能和热管理能力，适用于高密度PCB设计。H26M31003GMR(4GB) 还支持多种工作模式，包括自刷新和深度掉电模式，能够在不同的使用场景下优化功耗表现。
其16位的数据宽度设计能够提供更高的数据吞吐量，满足高性能计算的需求。芯片的温度范围为-40°C至85°C，适用于多种严苛的工作环境。
H26M31003GMR(4GB) 常用于需要高性能和高可靠性存储解决方案的设备中，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机、网络设备以及消费类电子产品。由于其高容量和低功耗的特点，这款芯片也广泛应用于需要长时间运行的设备中，例如服务器和存储设备。
H26M31003GMR(4GB) 的替代型号包括H26M32003GMR(4GB)、H5TQ2GACAFR-RDC 和 K4B4G1646Q-BCK0。
