时间：2025/9/1 11:11:57
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H26M2100DAR 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高性能存储器类别，广泛应用于计算机系统、工业设备、嵌入式系统以及其他需要高速数据存储和访问的电子设备中。H26M2100DAR属于异步DRAM类别，具有较大的存储容量和较高的数据传输速率。
容量：256K x 4位
电压：5V
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：28
访问时间：55ns、70ns等可选
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步
数据速率：166MHz
H26M2100DAR 是一款高性能异步DRAM芯片，具备低功耗、高速访问和稳定性强的特点。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态电流，有助于在高频率运行时保持能效比。其异步接口设计使其能够适应多种主控系统的需求，适用于需要较高数据吞吐量但对同步时钟要求不高的场合。
该芯片的28引脚SOJ封装形式使其在PCB布局中占用空间较小，同时具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业环境或高振动条件下使用。此外，H26M2100DAR支持多种访问时间选项，例如55ns和70ns，便于根据系统需求选择最合适的型号以平衡速度与成本。
其工作电压为5V，能够兼容多种电源管理系统，并具备良好的抗干扰能力和数据保持特性。H26M2100DAR广泛用于老旧的计算机系统、网络设备、视频控制器以及工业自动化设备中，作为高速缓存或主存储器使用。
H26M2100DAR 主要应用于需要中等容量高速存储的设备中，如工业控制系统、通信设备、视频图形卡、嵌入式系统以及老式计算机主板等。由于其良好的稳定性和广泛的兼容性，该芯片也常用于需要长期运行的工业和自动化系统中。
IS61LV25616-10T, CY62148EVLL, A66C2100DAR
