时间：2025/9/1 10:53:08
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H26M21002BAR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其内存产品线的一部分。该型号主要用于需要较高内存带宽和容量的应用场合，如计算机系统、工业控制设备、嵌入式系统和消费类电子产品。这款DRAM芯片采用标准的封装形式，具有较高的可靠性和稳定性，适用于各种需要快速数据存取的场景。
容量：256MB
组织结构：x16
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
数据保持电压：2V
输入/输出电平：CMOS
H26M21002BAR 是一款高性能的DRAM芯片，具备多项优良特性，适用于多种应用场景。首先，其容量为256MB，组织结构为x16，能够提供较大的数据存储能力，适用于需要较高内存容量的系统。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同的电源环境下都能稳定运行，适应性强。
其次，H26M21002BAR 采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于空间受限的应用场合。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行，满足工业级温度要求。
H26M21002BAR 主要应用于需要较大内存容量和高速数据存取的电子设备中。在计算机系统中，该芯片可用于主板或扩展内存模块，作为系统内存提供临时数据存储。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、自动化设备等，为系统提供稳定可靠的内存支持。
IS42S16256A-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, KM48V51216A
