H26M21001FPR 时间：2025/9/2 11:02:31 阅读：7

H26M21001FPR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于高性能存储器解决方案，适用于需要快速数据访问和高带宽的应用场景。这款芯片通常用于工业级设备、嵌入式系统、网络设备以及计算机外设中，以提供可靠的存储支持。

参数

容量：256MB
　　数据总线宽度：16位
　　时钟频率：166MHz
　　存取时间：5.4ns
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

H26M21001FPR 以其高性能和稳定性著称。其主要特性之一是支持异步操作，允许与多种控制器和系统架构兼容，从而提高了其在不同应用中的灵活性。该芯片的TSOP封装设计不仅有助于减少PCB空间占用，还能提供良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。此外，该DRAM芯片具备低功耗特性，适合对能耗敏感的应用场景。
　　这款芯片的另一个关键特性是其高可靠性，适用于严苛的工作环境。它能够在-40°C至+85°C的温度范围内正常工作，因此非常适合工业控制、通信设备和汽车电子等应用。H26M21001FPR 的异步接口支持多种访问模式，可以适应不同的系统需求，并提供快速的数据读写能力，从而提高整体系统性能。

应用

H26M21001FPR 广泛应用于需要中等容量高速存储的电子设备中。常见的应用包括工业自动化控制系统、网络路由器和交换机、视频监控设备、医疗成像设备以及高性能嵌入式系统。此外，该芯片也适用于打印机、扫描仪等外设产品，为数据缓存和临时存储提供高效解决方案。由于其宽温工作范围，该芯片也常用于户外设备和车载电子系统中，以确保在极端环境下的稳定运行。