H2106 是一款由 Renesas(原 Intersil)生产的高速、低功耗的双极型晶体管阵列芯片,广泛用于数字逻辑电路、开关电路和放大电路中。该器件包含两个独立的 NPN 晶体管,每个晶体管具有相同的电气特性,适用于多种模拟和数字应用。H2106 以其高可靠性、良好的温度稳定性和紧凑的封装设计而受到工程师的青睐。
类型:双极型晶体管(NPN)
晶体管数量:2个
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功率耗散(PD):200mW
电流增益(hFE):110(最小值)
频率响应(fT):100MHz
封装形式:14引脚 DIP 或 SOIC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
H2106 的核心特性之一是其两个 NPN 晶体管具有匹配良好的电气参数,使得在需要对称性或差分信号处理的应用中表现出色。该芯片采用了高速晶体管结构,能够支持高达 100MHz 的工作频率,适合用于高频开关和放大电路。
此外,H2106 的低功耗特性使其在电池供电或对功耗敏感的系统中具有优势。其封装设计(如 DIP 和 SOIC)既适合通孔焊接,也适合表面贴装工艺,提升了其在不同 PCB 设计中的适用性。
每个晶体管的基极、集电极和发射极引脚独立引出,用户可以根据需要灵活配置电路结构,如共射、共基、共集等放大器形式,或作为数字开关使用。
H2106 主要用于需要两个独立 NPN 晶体管的电路设计,例如:
1. 数字逻辑门电路中的开关元件
2. 差分放大器和运算放大器的输入级
3. 高频信号放大器
4. 传感器信号调理电路
5. 接口电路中的电平转换和驱动电路
6. 低功耗便携设备中的模拟与数字混合电路
PN2222A, BC547, 2N3904