H16007 时间：2025/8/2 0:29:35 阅读：19

H16007是一款常用于电源管理和DC-DC转换应用的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）集成电路。该器件通常用于高效率的同步整流器、负载开关、电池管理电路以及低压电源转换系统。H16007具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于各种低电压高电流的应用场景。其封装形式通常为SOP（小外形封装）或DFN（双侧无引脚封装），适合在紧凑型电子设备中使用。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：6A（每通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8、DFN-8
　　功率耗散（Pd）：3W
　　输入电容（Ciss）：500pF（典型值）

特性

H16007的核心优势在于其双N沟道MOSFET结构，能够提供高效的功率转换性能。其低导通电阻特性显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在Vgs=4.5V的条件下，Rds(on)仅为12mΩ，使得该器件在低电压应用场景中表现出色。
　　该器件具有较高的连续漏极电流能力，每通道可达6A，适用于中高功率的DC-DC转换器和负载开关设计。此外，H16007的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的控制电路中灵活使用。
　　H16007采用SOP-8或DFN-8封装形式，具备良好的热管理和空间利用率，适合在高密度PCB布局中使用。其热阻（RθJA）约为60°C/W，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件还具备良好的抗静电（ESD）能力和过温保护特性，能够在复杂的电气环境中提供可靠的性能。H16007广泛应用于笔记本电脑、移动电源、服务器电源、工业控制系统以及电动汽车的电源管理系统中。