H11L1SR2VM 是一款高性能的光电耦合器,广泛应用于工业自动化、通信设备和消费电子等领域。该器件采用 GaAs 发光二极管(LED)和集成光敏晶体管设计,能够实现高隔离电压下的信号传输。它具有较高的共模抑制比和抗干扰能力,适用于需要电气隔离的场合。
光电耦合器 H11L1SR2VM 的典型应用包括开关电源控制、噪声抑制电路以及数据传输等场景。通过光电转换的方式,它可以有效隔绝输入和输出端之间的电信号联系,从而保护敏感电路免受高压或噪声的影响。
工作温度范围:-40℃ 至 +110℃
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
输入电流:16mA(最大值)
集电极-发射极电压(VCE):70V(最大值)
隔离电压:3750Vrms
上升时间:1.5μs(典型值)
下降时间:1.5μs(典型值)
封装形式:SO6
H11L1SR2VM 具有以下显著特性:
1. 高隔离电压(3750Vrms),确保在恶劣环境下仍能可靠工作。
2. 快速响应时间(上升/下降时间均为 1.5μs 典型值),适用于高速信号传输。
3. 宽工作温度范围(-40℃ 至 +110℃),适应各种环境条件。
4. 小型化 SO6 封装,节省 PCB 空间。
5. 内置齐纳二极管保护,防止过压损害。
6. 符合 RoHS 标准,环保无害。
H11L1SR2VM 广泛用于以下领域:
1. 开关电源和逆变器中的隔离反馈控制。
2. 工业自动化设备中的信号隔离与传输。
3. 医疗电子设备中的安全隔离。
4. 通信系统中的噪声抑制和信号处理。
5. 消费类电子产品中要求高可靠性的隔离电路部分。
其出色的性能使其成为许多对可靠性要求较高的应用的理想选择。
H11L1MTR, H11L1MTQ