类型：光耦合器（晶体管输出）
　　电流传输比（CTR）：20% ~ 400%
　　最大正向电流（IF）：60 mA
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大功耗（PD）：100 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：DIP-4

H11L1S(TA)-V 的核心特性之一是其优异的电气隔离能力，能够提供高达3000 V的隔离电压，确保输入和输出之间的安全隔离，防止电气干扰和高压冲击对系统的影响。
　　其电流传输比（CTR）范围宽广（20%至400%），确保在不同的输入电流条件下都能实现良好的输出响应，适应多种控制电路的需求。
　　该光耦合器具有较高的最大集电极电流（100 mA）和集电极-发射极电压（30 V）能力，适用于中等功率的信号隔离与开关控制。
　　其封装设计符合工业标准DIP-4，安装方便，并具备良好的耐高温性能，可在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，H11L1S(TA)-V 具有较低的功耗（最大100 mW），有助于提高系统的能效和可靠性，减少发热问题。

H11L1S(TA)-V 主要应用于需要电气隔离的各类电子系统中，特别是在工业自动化控制领域，如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动、传感器接口等场合，用于隔离高低压电路，保护控制系统免受高压或噪声干扰。
　　在电源管理系统中，该器件常用于隔离反馈信号，实现电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC转换器）的稳定控制。
　　此外，它也被广泛用于通信设备中，作为隔离型信号传输元件，确保设备之间的信号传输安全可靠。
　　在汽车电子系统中，例如电池管理系统（BMS）、电机控制模块和车载充电器中，H11L1S(TA)-V 可用于隔离高低压部分，保障系统的安全运行。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也适用于一些环境条件较为恶劣的工业和军事设备中。

H11L1M(TA)-V, PC817C, TLP521-1, 4N25