工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大LED正向电流（If）：60mA
　　最大功耗（总）：150mW
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS
　　电流传输比（CTR）：最小值 200%（典型值 400%）
　　响应时间：10μs（开通）/ 10μs（关断）

H11D2SM 光耦合器具备出色的电气隔离性能，其隔离电压可达 5000VRMS，适用于高电压隔离场合。
　　该器件采用了达林顿输出结构，使其具有较高的电流增益，能够在较小的输入电流下驱动较大的负载电流。
　　其封装形式通常为 6 引脚 DIP（Dual In-line Package），便于 PCB 安装，并具有良好的机械稳定性和耐久性。
　　H11D2SM 的工作温度范围较宽，可在 -55°C 至 +125°C 的环境中稳定工作，适用于工业级应用。
　　此外，该光耦具有良好的抗电磁干扰（EMI）性能，适合用于噪声较大的工业环境中。
　　由于其高可靠性与长寿命特性，H11D2SM 被广泛应用于继电器驱动、信号隔离、电源控制等场景。

H11D2SM 主要应用于需要电气隔离的控制系统中，如工业自动化控制、电机驱动、电源开关控制、继电器接口、PLC（可编程逻辑控制器）以及交流电源控制等。
　　在工业控制领域，H11D2SM 常用于隔离控制电路与高压电路，保护微控制器或数字电路免受高压或大电流的损害。
　　在家电和消费电子中，该器件可用于隔离主电源与低压控制电路之间的信号传输。
　　此外，H11D2SM 也常用于通信设备中，作为数字信号隔离元件，提高系统的抗干扰能力和稳定性。
　　由于其高隔离电压和高 CTR 特性，H11D2SM 也适用于安全关键型系统，如医疗设备和测试仪器。

H11D1SM, H11D3SM, PC817, TLP521, 6N137