类型：光耦合器（光隔离器）
　　LED类型：GaAs红外发光二极管
　　光敏元件类型：硅NPN光敏三极管
　　电流传输比（CTR）：50% - 600%（典型值）
　　集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　LED正向电流（If）：最大60mA
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装类型：6引脚DIP（双列直插式封装）
　　绝缘电压：5000 VRMS
　　响应时间：3μs（典型值）

H11A817B.3SD具备多项优异的电气和物理特性，适合广泛的应用场景。
　　首先，其核心结构采用GaAs红外LED与硅NPN光敏三极管相结合，确保了在较宽的输入电流范围内实现稳定的电流传输比（CTR）。CTR范围为50%至600%，表明其在不同的工作条件下都能提供良好的信号传递能力。
　　其次，该光耦合器具有高达80V的集电极-发射极耐压能力，使其适用于中高压应用。LED的正向最大电流为60mA，这使得该器件在需要较大驱动电流的应用中也能稳定工作。
　　此外，H11A817B.3SD具有高达5000 VRMS的绝缘电压，确保输入和输出之间的电气隔离，防止高电压对控制系统造成损害。这种高隔离能力使其非常适合用于工业自动化设备、电源转换器、继电器控制等需要高安全性和可靠性的场合。
　　其封装形式为6引脚DIP，便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。工作温度范围为-55°C至+125°C，适用于严苛的工业环境条件，表现出良好的温度稳定性。
　　响应时间约为3μs，适合中高速信号隔离应用，如数字通信、脉宽调制（PWM）控制、隔离式传感器接口等。因此，H11A817B.3SD在开关电源、变频器、电机控制等领域具有广泛的应用价值。

H11A817B.3SD广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。常见应用包括工业自动化控制系统中的信号隔离、交流/直流电源管理、继电器驱动电路、可编程逻辑控制器（PLC）、逆变器和变频器中的反馈控制电路等。此外，它也适用于电信设备、测量仪器和医疗电子设备中，用于隔离高电压部分与低压控制电路，确保系统的安全性和稳定性。在电动汽车和智能电网系统中，该光耦合器也常用于隔离高电压电池系统与低压电子控制单元（ECU）之间的信号传输。

TLP521-4,TLP185,TLP281