类型：光电晶体管输出光耦合器
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%
　　正向电流（IF）：60 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +100°C
　　封装类型：6-DIP

H11A2SD具有多个关键特性，使其在各种电气隔离应用中表现出色。首先，它具备高隔离电压能力，输入与输出之间可承受高达5000V的绝缘电压，确保了系统的安全性和可靠性。其次，H11A2SD的电流传输比（CTR）范围较宽，为20%至400%，这意味着它可以在不同的输入电流条件下保持稳定的输出响应。此外，该光耦的响应时间较短，适用于中低速信号传输应用。H11A2SD还具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在嘈杂的工业环境中稳定工作。其6引脚DIP封装形式便于安装和使用，同时具备较高的机械强度和耐久性。
　　在功耗方面，H11A2SD的正向工作电流最大为60 mA，典型的集电极-发射极饱和电压约为1.5V，适用于多种电源供电条件。其工作温度范围为-55°C至+100°C，适合在各种环境条件下运行。

H11A2SD主要用于需要电气隔离的场合，如工业自动化控制系统、交流/直流电源开关、继电器驱动电路、电机控制、智能电表、通信设备以及医疗电子设备等。它能够有效隔离高压侧与低压控制电路之间的干扰，保护敏感的电子元件不受损害。例如，在变频器或伺服驱动器中，H11A2SD可以用于隔离控制信号与功率部分，确保系统的稳定运行。此外，它也常用于隔离RS-232、RS-485等通信接口，以防止地电位差造成的信号干扰。在嵌入式系统中，H11A2SD也可用于检测外部信号状态，如开关或传感器输入。

PC817, 4N35, TLP521, EL817