时间：2025/8/17 23:25:40
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H11171JCB是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的高性能、低噪声、高线性度的硅双极晶体管（SiGe HBT），主要用于射频和中频放大器应用。该器件采用先进的硅-锗异质结双极晶体管技术制造，具有出色的高频性能和稳定性。H11171JCB特别适用于需要高增益和低噪声系数的无线通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施设备和测试测量仪器。该器件采用紧凑的表面贴装封装，便于在高频电路中实现良好的布局和匹配。
类型：硅-锗异质结双极晶体管 (SiGe HBT)
封装类型：表面贴装型
频率范围：最高工作频率可达10 GHz以上
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：15 V
噪声系数：典型值小于0.5 dB
增益：典型值大于15 dB
工作温度范围：-40°C至+85°C
H11171JCB具有多个关键特性，使其成为高性能射频放大器的理想选择。首先，其基于硅-锗技术的异质结双极晶体管结构提供了高截止频率（fT）和卓越的线性度，能够在高频应用中保持优异的信号完整性。其次，该器件在2 GHz频率下的噪声系数典型值低于0.5 dB，非常适合用于低噪声放大器（LNA）设计。此外，H11171JCB具有良好的增益平坦度和高稳定性，在宽频率范围内表现出一致的性能。该器件还具有高线性度，使其在多载波和高动态范围应用中表现出色。H11171JCB的封装设计支持表面贴装工艺，简化了在射频电路板上的集成。该晶体管的工作温度范围广泛，适用于工业级和通信设备的严苛环境。
H11171JCB主要应用于高频射频和中频放大器电路，特别是在无线通信基础设施中。其典型应用包括蜂窝基站接收器前端的低噪声放大器（LNA）、无线接入点、微波通信设备、测试与测量仪器中的射频信号放大模块。此外，该器件也可用于数字电视接收器、卫星通信系统以及高性能无线局域网（WLAN）设备中的信号放大环节。
H11171JCB的替代型号包括H11172JCB和NE856340。
