品牌：GZ
　　类型：片式多层陶瓷电容器（MLCC）
　　封装尺寸：3216（公制）/1206（英制）
　　电容值：100pF
　　容差：±0.5pF
　　介质材料：C0G（NPO）
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　温度系数：0±30ppm/℃
　　绝缘电阻：≥50GΩ 或 R×C ≥ 10000MΩ·μF
　　等效串联电阻（ESR）：典型值＜0.02Ω
　　介质损耗（DF）：≤0.1%
　　老化率：≤0.1% per decade
　　包装形式：卷带编带，8mm tape
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分系列）

GZ3216D101TF所采用的C0G（NPO）陶瓷介质是目前最稳定的电容器介质之一，具备极低的介电常数随温度变化的特性，其电容值在整个工作温度范围内几乎保持恒定，温度系数仅为0±30ppm/℃，这意味着即使在极端高低温环境下，电容值也不会发生明显漂移，确保了电路工作的长期稳定性与可靠性。这一特性使其特别适用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、锁相环（PLL）、压控振荡器（VCO）以及高Q值滤波器设计中。
　　此外，该电容器具有极低的介质损耗（DF ≤ 0.1%），这表示其在高频应用中能量损耗极小，能够有效减少发热并提高系统效率。同时，其等效串联电阻（ESR）非常低，通常小于0.02Ω，有助于提升电源去耦和旁路效果，抑制噪声干扰，增强信号完整性。由于C0G材料本身不具铁电性，因此不存在电压依赖性电容变化问题，即电容值不会随着施加电压的变化而改变，这是X7R、Y5V等高介电常数材料无法比拟的优势。
　　在机械与环境适应性方面，GZ3216D101TF经过优化设计，具备良好的抗弯曲性能和热冲击能力，能够在自动贴片过程中承受一定的PCB形变而不发生开裂或短路。其结构致密，吸湿性低，长期工作在高湿环境中仍能保持稳定的电气性能。此外，该器件的老化率几乎可以忽略不计（≤0.1% per decade），无需考虑长期使用后电容衰减的问题，极大提升了系统的使用寿命和维护周期。综合来看，GZ3216D101TF凭借其卓越的电气稳定性、高频响应能力和环境适应性，成为高端模拟与射频电路中的关键元件之一。

GZ3216D101TF因其优异的电气特性和温度稳定性，被广泛应用于多个高要求的技术领域。在射频通信系统中，它常用于匹配网络、LC谐振回路、天线调谐电路以及功率放大器的偏置去耦，确保信号传输的准确性和稳定性。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、ADC/DAC参考电压滤波、有源滤波器构建等场景，该电容器能够提供可靠的电容支持，防止因温度或电压波动导致的信号失真。
　　在时钟与定时电路中，例如晶体振荡器、SAW滤波器旁路、PLL环路滤波器中，GZ3216D101TF的低损耗和高稳定性可显著提升频率精度和长期可靠性，避免时序偏差。在医疗电子设备、测试测量仪器、航空航天电子模块等对元器件性能要求极为严苛的场合，该电容也常作为关键元件使用，保障系统在复杂环境下的正常运行。
　　此外，在汽车电子领域，尤其是车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中，GZ3216D101TF能够满足AEC-Q200可靠性标准（视具体批次而定），适应宽温、振动和电磁干扰等恶劣工况。在工业控制系统中，如PLC、电机驱动器和电源管理模块，该电容器可用于高频旁路、噪声抑制和信号耦合，提升整体系统的抗干扰能力与稳定性。总之，凡是需要高精度、低损耗、温度稳定的电容应用，GZ3216D101TF都是理想的选择。

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