时间：2025/8/8 21:07:32
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GYN401SAG-G25是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻和高效率的性能特点，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大漏极电流(Id)：10A（连续）
导通电阻(Rds(on))：25mΩ（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V至2.5V
最大功耗(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
GYN401SAG-G25具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件采用了高密度沟槽技术，实现了紧凑的芯片设计，从而在保持高性能的同时减小了封装尺寸。此外，GYN401SAG-G25具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于恶劣的工业环境。栅极阈值电压范围适中，确保了与标准逻辑驱动电路的兼容性，同时降低了误触发的风险。该器件还具备良好的短路耐受能力，为系统提供了更高的安全性和稳定性。
GYN401SAG-G25广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关、同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高效率和高可靠性的特点，使其成为众多功率电子应用的理想选择。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413, AO4406A
