时间：2025/7/12 2:51:59
阅读：9
GXT155R71H222KE01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在提供低导通电阻的同时，保持了较低的开关损耗，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理和转换电路。其封装形式和电气特性使其成为众多大功率应用的理想选择。
型号：GXT155R71H222KE01D
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：71V
最大连续漏极电流：155A
导通电阻：2.2mΩ（典型值）
栅极电荷：30nC（典型值）
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
GXT155R71H222KE01D具有出色的热性能和电气性能，主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.2mΩ），有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力（155A），适合用于高功率密度的设计。
3. 低栅极电荷（30nC），确保快速开关和降低开关损耗。
4. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种极端环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 良好的抗雪崩能力和鲁棒性，提升系统的可靠性和稳定性。
这些特性使得该芯片在高压和高频场景中表现尤为突出，非常适合需要高效功率转换的应用。
GXT155R71H222KE01D广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电动车辆（EV/HEV）电机控制器
3. 工业变频器和伺服驱动
4. 太阳能逆变器
5. 不间断电源（UPS）系统
6. LED驱动器
7. 各种直流-直流转换器
由于其卓越的性能和可靠性，这款MOSFET特别适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。
GXT155R71H222KE02D, IRFP260N, FDP158N70S
