时间：2025/7/12 2:51:35
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GXM155B31E273KA80D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理系统等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提升系统效率。此外，其封装设计紧凑，适用于对空间要求较高的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：60V
额定电流：40A
导通电阻：1.5mΩ（典型值）
栅极电荷：35nC（最大值）
开关频率：支持高达500kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
GXM155B31E273KA80D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著减少传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 优异的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
4. 内置过流保护和过温保护功能，提高系统的安全性。
5. 紧凑型封装设计，便于集成到小型化设备中。
6. 支持高负载电流，适用于大功率应用需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），用于高效能的电压转换。
2. DC-DC 转换器，实现稳定的直流电压输出。
3. 电机驱动，提供高效的电流控制能力。
4. 电池管理系统（BMS），确保电池的安全充放电。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统，例如电动助力转向和制动系统。
7. 其他需要高性能功率管理的场合。
GXM155B31E273KA80H, GXM155B31E273KA80L
