GX4201-CDA是一款由Giantec Semiconductor(巨积股份有限公司)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和高效的开关性能,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等多种应用。GX4201-CDA采用DFN5x6封装,具有良好的热性能和空间效率,适合现代电子设备中对尺寸和效率要求较高的场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):3.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:DFN5x6
GX4201-CDA具有多项优异的电气和物理特性,能够满足高效率功率转换的需求。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,优化了导通和开关性能之间的平衡,使得在高频开关应用中也能保持较低的开关损耗。
GX4201-CDA的DFN5x6封装设计提供了优良的热管理能力,能够快速将热量从芯片传导到PCB板上,从而提高器件在高负载条件下的可靠性和稳定性。此外,该封装还具有较小的尺寸,适用于对空间要求严格的电子设备。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V驱动电压,同时具备一定的过压耐受能力,提高了设计的灵活性和可靠性。此外,GX4201-CDA还具备较高的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定工作,防止器件损坏。
在应用方面,GX4201-CDA的高电流承载能力(120A)使其适用于高功率密度的电源系统,如服务器电源、工业电源、电池管理系统和电动工具等。其优异的热性能和稳定的电气特性也使其在汽车电子系统中具有广泛的应用潜力。
GX4201-CDA主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。其主要应用场景包括但不限于:
1. **DC-DC转换器**:在高功率DC-DC转换器中作为主开关器件,用于实现高效的电压转换。
2. **同步整流器**:在反激式或正激式开关电源中作为同步整流MOSFET,提高电源效率。
3. **负载开关**:用于控制电源分配,如服务器、存储设备和便携式电子产品中的电源管理。
4. **电池管理系统(BMS)**:在电池充放电管理电路中作为开关器件,提供高效的能量传输。
5. **电机驱动和电动工具**:在无刷电机驱动器或电动工具中用于控制电流流向和功率输出。
6. **汽车电子系统**:适用于车载电源系统、车载充电器(OBC)和电池管理系统等汽车应用领域。
SiS828DN-T1-GE3, Nexperia PSMN1R5-30PL, Infineon BSC016N03MS