GW7MRDBRGSC 时间：2025/8/29 16:36:00 阅读：2

GW7MRDBRGSC 是东芝（Toshiba）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列芯片，广泛用于功率管理和开关电路中。该器件集成了多个MOSFET晶体管，能够实现高效的电压和电流控制。该芯片适用于多种工业和消费类电子产品，具有良好的导通性能和快速开关能力。

参数

类型：MOSFET阵列
　　封装类型：TSSOP
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　最大漏极电流（ID）：±4.0A（每个通道）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　功耗（PD）：1.6W
　　通道数：2
　　极性：N沟道和P沟道组合

特性

GW7MRDBRGSC具有低导通电阻，使得其在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升系统效率。该芯片采用TSSOP封装，具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合在空间受限的应用中使用。
　　此外，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压可达20V，适合多种电源管理应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至5V的控制信号输入，使其与多种微控制器或逻辑电路兼容。
　　内部MOSFET结构采用优化设计，提高了开关速度并降低了开关损耗，有助于提高整体系统的响应速度和能效。同时，该芯片具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于复杂电磁环境下的工业设备。
　　在保护特性方面，该芯片具备过温保护和过电流保护机制，能够在异常工作条件下自动切断电流，从而保护芯片和外围电路不受损坏。