时间：2025/12/28 21:01:34
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GW6DMC50XFC是一款由GlobalWafers生产的碳化硅（SiC）功率MOSFET模块，专为高效率、高频率和高耐压应用设计。该模块采用了先进的SiC半导体技术，具有优异的导通和开关性能，适用于电动汽车（EV）、充电桩、工业电源、可再生能源系统等高功率应用场景。其主要特点是低导通压降、低开关损耗、高热导率以及良好的耐高温性能，使其在高温、高电压和高频工作条件下仍能保持稳定运行。
类型：SiC MOSFET模块
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：双列直插式（Dual Inline）
热阻（Rth）：约1.2K/W
短路耐受能力：600A，10μs
封装尺寸：约120mm x 70mm x 5mm
绝缘等级：Class I（基本绝缘）
安装方式：PCB表面贴装（SMD）
认证标准：符合RoHS和REACH标准
GW6DMC50XFC的主要特性包括其基于SiC材料的高性能功率MOSFET结构，使得该模块在高压下仍具有极低的导通损耗和开关损耗，从而显著提高系统效率。由于SiC材料的宽禁带特性，该模块可在高达175°C的温度下稳定运行，适用于高温环境下的电力电子系统。
此外，该模块的封装设计优化了热管理和电气性能，具备较低的热阻（Rth），从而提升了散热效率并延长了模块的使用寿命。其双列直插式封装结构支持高密度布局，适用于紧凑型电源设计。模块内部集成多个SiC MOSFET芯片，采用先进的芯片并联技术，确保电流均衡和高可靠性。
在动态性能方面，GW6DMC50XFC具备极低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），以及快速的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC整流器和电机驱动器。此外，该模块具备良好的短路耐受能力，能够在600A电流下承受10μs的短路冲击，提升了系统在异常情况下的鲁棒性。
该模块广泛应用于电动汽车主驱逆变器、车载充电器（OBC）、快速充电桩、光伏逆变器、储能系统、工业电源和不间断电源（UPS）等高功率电子系统中。其优异的性能使其成为传统硅基IGBT模块的理想替代方案，特别是在追求高效率、高功率密度和高工作频率的设计中。
Wolfspeed（原Cree）的C3M0065090D、Infineon的IMZA65R048M1H、STMicroelectronics的SCT3045DW12
