类型：氮化镓（GaN）功率晶体管
　　最大漏极电流（ID）：650 A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：100 V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5 mΩ
　　封装类型：GS-FC（GaN Systems - Flip Chip）
　　最大工作温度：150 °C
　　封装尺寸：12.0 mm x 10.5 mm x 1.0 mm
　　栅极电荷（Qg）：70 nC
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100 V

GW6DMA35XFC采用了GaN Systems先进的GS-FC封装技术，这种封装方式可以显著降低寄生电感，提高器件的开关性能和可靠性。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)）和极小的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，从而提高了整体系统效率。
　　此外，该器件具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于高功率密度设计。GS-FC封装技术还允许直接焊接在PCB上，简化了散热设计，并提高了热传导效率。
　　GW6DMA35XFC的高频开关能力使其适用于高效率DC-DC转换器、图腾柱PFC（功率因数校正）电路、同步整流器、LLC谐振转换器等拓扑结构，特别适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的工业和汽车应用。

GW6DMA35XFC广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中，例如：
　　1. 服务器电源和电信设备电源：在高密度服务器和通信设备中提供高效能的电源转换解决方案。
　　2. 电动汽车充电系统：用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，提升充电效率和功率密度。
　　3. 太阳能逆变器：在光伏逆变器中实现更高的能量转换效率，降低系统损耗。
　　4. 工业电源和电机驱动：用于工业自动化设备中的高效率电源和驱动系统。
　　5. 高频电源模块：适用于高频开关电源和模块化电源系统，支持更高的开关频率和更小的磁性元件。

GS66508T, GS66516T, INFINEON CoolGaN, ON Semiconductor NV6127