时间：2025/12/28 21:10:15
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GW6DMA27NFC是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大1.2mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
GW6DMA27NFC具有低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。
该器件支持高电流承载能力，适合大功率应用场景。
采用先进的沟槽式技术，提升了器件的热稳定性和可靠性。
具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的鲁棒性。
内置栅极保护二极管，提升了器件在高频开关环境中的抗干扰能力。
符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设备设计。
该MOSFET广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充放电控制器等。
适用于工业自动化设备中的电机驱动模块和功率开关电路。
常用于服务器电源、通信电源、UPS不间断电源等高可靠性系统中。
在新能源汽车BMS（电池管理系统）中作为主开关器件使用。
也可用于高功率LED照明驱动电路中。
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"IRF1404Z",
"SiS628ACN",
"FDMS7680",
"IPB065N06N3"
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