类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（Vds）：400V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：通常为2.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：6mm x 6mm 倒装芯片封装
　　功耗（Pd）：220W

高效率：GW6DGD40XFC 具有非常低的导通电阻（150mΩ），从而减少了导通损耗，提高了整体转换效率。
　　高频操作：该器件支持高达10MHz的开关频率，适用于高频功率转换器设计，有助于减小磁性元件和电容器的尺寸和重量。
　　低开关损耗：由于其固有的材料特性和封装设计，GW6DGD40XFC 的开关损耗显著低于传统硅基MOSFET，尤其适用于硬开关和软开关拓扑结构。
　　热性能优异：该器件采用倒装芯片封装，提供了良好的热传导路径，确保在高功率密度应用中仍能保持较低的工作温度。
　　可靠性高：GaN Systems 的 eGaN 技术经过严格的测试和验证，确保在各种工作条件下具有高可靠性和长寿命。
　　易于并联：由于其正温度系数特性，多个GW6DGD40XFC可以并联使用，以增加电流容量而无需额外的均流电路。
　　符合RoHS标准：该器件符合RoHS环保标准，适用于工业和消费类电子产品。

电源适配器：GW6DGD40XFC 适用于高功率密度AC-DC电源适配器和充电器，可提高效率并减小体积。
　　服务器电源：在数据中心和服务器电源系统中，该器件有助于提高能效并降低散热需求。
　　DC-DC转换器：用于高频率、高效率的DC-DC转换器，如隔离式和非隔离式拓扑结构（如LLC、Phase Shifted Full Bridge等）。
　　电动汽车充电：该器件可用于车载充电器和快速充电桩，提供高效的电力转换解决方案。
　　无线充电系统：在无线充电发射端，GW6DGD40XFC 可以支持高频谐振电路，提高能量传输效率。
　　工业电源：适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等高可靠性电力电子系统。

GS61004B, EPC2045, LMG5200