型号：GW5SMM50P0C
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：约13nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

GW5SMM50P0C具备多项优异特性，使其在各类功率电子系统中表现出色。首先，其高耐压能力（Vds=500V）确保了在高压环境下工作的稳定性，适用于多种工业电源和高压控制电路。其次，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)=1.2Ω）有效降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低（Qg=13nC），有助于减少开关损耗，从而在高频开关应用中表现优异。
　　在封装方面，GW5SMM50P0C采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，提高了电路板的组装效率和可靠性。该封装还提供了良好的电气隔离和热管理能力，有助于在高功率密度设计中保持稳定工作状态。
　　此外，GW5SMM50P0C的工作温度范围为-55°C至150°C，具备出色的热稳定性和环境适应能力，适用于高温、高湿或极端温度条件下的应用，如工业自动化、智能电网设备、电动汽车充电系统和不间断电源（UPS）等。

GW5SMM50P0C广泛应用于各类电力电子设备和系统中，特别是在需要高压、高效率和稳定性能的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、LED驱动电源、工业控制模块、智能电网设备、光伏逆变器以及不间断电源（UPS）等。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动工具控制电路中。由于其良好的热管理和高可靠性，GW5SMM50P0C也适用于高功率密度和高环境温度要求的嵌入式系统和工业自动化设备。

STP5NK50ZFP, IRF840, FQP5N50C, 2SK2545